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Effect of thermal strain strain and carrier concentration on the phonon frequencies of GaN

Wieser, N. und Klose, M. und Scholz, F. und Off, J. (1998) Effect of thermal strain strain and carrier concentration on the phonon frequencies of GaN. In: Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Materials Science Forum Vols. 264-268 (1998), Seiten 1351-1354. Trans Tech Pulications, Schweiz. International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related materials, Stockholm, Schweden, September 1997.

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Dokumentart:Konferenzbeitrag (Paper)
Zusätzliche Informationen: LIDO-Berichtsjahr=1999,
Titel:Effect of thermal strain strain and carrier concentration on the phonon frequencies of GaN
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID
Wieser, N.NICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Klose, M.NICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Scholz, F.4.Physik.Institut, Universität StuttgartNICHT SPEZIFIZIERT
Off, J.4.Physik.Institut, Universität StuttgartNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:1998
Erschienen in:Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials
In Open Access:Nein
In SCOPUS:Nein
In ISI Web of Science:Nein
Band:Materials Science Forum Vols. 264-268 (1998)
Seitenbereich:Seiten 1351-1354
Herausgeber:
HerausgeberInstitution und/oder E-Mail-Adresse der Herausgeber
Pensl, G.NICHT SPEZIFIZIERT
Morkoc, H.NICHT SPEZIFIZIERT
Monemar, B.NICHT SPEZIFIZIERT
Janzen, E.NICHT SPEZIFIZIERT
Verlag:Trans Tech Pulications, Schweiz
Status:veröffentlicht
Stichwörter:Raman scattering, Plasmon-Phonon Interactions, Strain.
Veranstaltungstitel:International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related materials, Stockholm, Schweden, September 1997
HGF - Forschungsbereich:Energie
HGF - Programm:Luftfahrt
HGF - Programmthema:keine Zuordnung
DLR - Schwerpunkt:Energie
DLR - Forschungsgebiet:L - keine Zuordnung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):L - Laserforschung und -technologie (alt)
Standort: Stuttgart
Institute & Einrichtungen:Institut für Technische Physik
Hinterlegt von: DLR-Beauftragter, elib
Hinterlegt am:16 Sep 2005
Letzte Änderung:06 Jan 2010 14:36

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