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Effect of thermal strain strain and carrier concentration on the phonon frequencies of GaN

Wieser, N. und Klose, M. und Scholz, F. und Off, J. (1998) Effect of thermal strain strain and carrier concentration on the phonon frequencies of GaN. In: Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials, Materials Science Forum Vols. 264-268 (1998), Seiten 1351-1354. Trans Tech Pulications, Schweiz. International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related materials, Stockholm, Schweden, September 1997.

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Dokumentart:Konferenzbeitrag (Paper)
Zusätzliche Informationen: LIDO-Berichtsjahr=1999,
Titel:Effect of thermal strain strain and carrier concentration on the phonon frequencies of GaN
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Wieser, N.NICHT SPEZIFIZIERT
Klose, M.NICHT SPEZIFIZIERT
Scholz, F.4.Physik.Institut, Universität Stuttgart
Off, J.4.Physik.Institut, Universität Stuttgart
Datum:1998
Erschienen in:Silicon Carbide, III-Nitrides and Related Materials
Band:Materials Science Forum Vols. 264-268 (1998)
Seitenbereich:Seiten 1351-1354
Herausgeber:
HerausgeberInstitution und/oder E-Mail-Adresse der Herausgeber
Pensl, G.NICHT SPEZIFIZIERT
Morkoc, H.NICHT SPEZIFIZIERT
Monemar, B.NICHT SPEZIFIZIERT
Janzen, E.NICHT SPEZIFIZIERT
Verlag:Trans Tech Pulications, Schweiz
Status:veröffentlicht
Stichwörter:Raman scattering, Plasmon-Phonon Interactions, Strain.
Veranstaltungstitel:International Conference on Silicon Carbide, III-Nitrides and Related materials, Stockholm, Schweden, September 1997
HGF - Forschungsbereich:Energie
HGF - Programm:Luftfahrt
HGF - Programmthema:keine Zuordnung
DLR - Schwerpunkt:Energie
DLR - Forschungsgebiet:L - keine Zuordnung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):L - Laserforschung und -technologie
Standort: Stuttgart
Institute & Einrichtungen:Institut für Technische Physik
Hinterlegt von: elib DLR-Beauftragter
Hinterlegt am:16 Sep 2005
Letzte Änderung:06 Jan 2010 14:36

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