Disorder-activated scattering and two-mode behavior in Raman spectra of isotopic GaN and AlGaN

Wieser, N. und Ambacher, O. und Angerer, H. und Dimitrov, R. und Stutzmann, M. und Stritzker, B. Institut f. Physik, Universität Augsburg), und Lindner, J.K.N. (1999) Disorder-activated scattering and two-mode behavior in Raman spectra of isotopic GaN and AlGaN. Physica Status Solidi (b), 216, Seiten 807-811.

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Dokumentart:

Zeitschriftenbeitrag

Zusätzliche Informationen:

LIDO-Berichtsjahr=1999,

Titel:

Disorder-activated scattering and two-mode behavior in Raman spectra of isotopic GaN and AlGaN

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD
Wieser, N.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Ambacher, O.	Walter Schottky Institut, TU München	NICHT SPEZIFIZIERT
Angerer, H.	Walter Schottky Institut, TU München	NICHT SPEZIFIZIERT
Dimitrov, R.	Walter Schottky Institut, TU München	NICHT SPEZIFIZIERT
Stutzmann, M.	Walter Schottky Institut, TU München	NICHT SPEZIFIZIERT
Stritzker, B. Institut f. Physik, Universität Augsburg),	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Lindner, J.K.N.	Institut f. Physik, Universität Augsburg	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

1999

Erschienen in:

Physica Status Solidi (b)

Referierte Publikation:

Nein

In Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Nein

Band:

216

Seitenbereich:

Seiten 807-811

Status:

veröffentlicht

HGF - Forschungsbereich:

Energie

HGF - Programm:

Luftfahrt

HGF - Programmthema:

keine Zuordnung

DLR - Schwerpunkt:

Energie

DLR - Forschungsgebiet:

L - keine Zuordnung

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

L - Laserforschung und -technologie (alt)

Standort:

Stuttgart

Institute & Einrichtungen:

Institut für Technische Physik

Hinterlegt von:

DLR-Beauftragter, elib

Hinterlegt am:

16 Sep 2005

Letzte Änderung:

06 Jan 2010 14:36

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