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Disorder-activated scattering and two-mode behavior in Raman spectra of isotopic GaN and AlGaN

Wieser, N. und Ambacher, O. und Angerer, H. und Dimitrov, R. und Stutzmann, M. und Stritzker, B. Institut f. Physik, Universität Augsburg), und Lindner, J.K.N. (1999) Disorder-activated scattering and two-mode behavior in Raman spectra of isotopic GaN and AlGaN. Physica Status Solidi (b), 216, Seiten 807-811.

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Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Zusätzliche Informationen: LIDO-Berichtsjahr=1999,
Titel:Disorder-activated scattering and two-mode behavior in Raman spectra of isotopic GaN and AlGaN
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Wieser, N.NICHT SPEZIFIZIERT
Ambacher, O.Walter Schottky Institut, TU München
Angerer, H.Walter Schottky Institut, TU München
Dimitrov, R.Walter Schottky Institut, TU München
Stutzmann, M.Walter Schottky Institut, TU München
Stritzker, B. Institut f. Physik, Universität Augsburg), NICHT SPEZIFIZIERT
Lindner, J.K.N.Institut f. Physik, Universität Augsburg
Datum:1999
Erschienen in:Physica Status Solidi (b)
Referierte Publikation:Nein
In SCOPUS:Nein
In ISI Web of Science:Nein
Band:216
Seitenbereich:Seiten 807-811
Status:veröffentlicht
HGF - Forschungsbereich:Energie
HGF - Programm:Luftfahrt
HGF - Programmthema:keine Zuordnung
DLR - Schwerpunkt:Energie
DLR - Forschungsgebiet:L - keine Zuordnung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):L - Laserforschung und -technologie
Standort: Stuttgart
Institute & Einrichtungen:Institut für Technische Physik
Hinterlegt von: elib DLR-Beauftragter
Hinterlegt am:16 Sep 2005
Letzte Änderung:06 Jan 2010 14:36

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