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Compositional fluctuations in GaInN/GaN double heterostructures investigated by selectively excited photoluminescence and Raman spectroscopy

Wieser, N. und Ambacher, O. und Felsl, H.-P. und Görgens, L. und Stutzmann, M. (1999) Compositional fluctuations in GaInN/GaN double heterostructures investigated by selectively excited photoluminescence and Raman spectroscopy. Applied Physics Letters, 74, Seiten 3981-3983.

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Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Zusätzliche Informationen: LIDO-Berichtsjahr=1999,
Titel:Compositional fluctuations in GaInN/GaN double heterostructures investigated by selectively excited photoluminescence and Raman spectroscopy
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Wieser, N.NICHT SPEZIFIZIERT
Ambacher, O.Walter Schottky Institut, TU München
Felsl, H.-P.Walter Schottky Institut, TU München
Görgens, L.Walter Schottky Institut, TU München
Stutzmann, M.Walter Schottky Institut, TU München
Datum:1999
Erschienen in:Applied Physics Letters
Referierte Publikation:Ja
In ISI Web of Science:Ja
Band:74
Seitenbereich:Seiten 3981-3983
Status:veröffentlicht
HGF - Forschungsbereich:Energie
HGF - Programm:Luftfahrt
HGF - Programmthema:keine Zuordnung
DLR - Schwerpunkt:Energie
DLR - Forschungsgebiet:L - keine Zuordnung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):L - Laserforschung und -technologie
Standort: Stuttgart
Institute & Einrichtungen:Institut für Technische Physik
Hinterlegt von: elib DLR-Beauftragter
Hinterlegt am:16 Sep 2005
Letzte Änderung:06 Jan 2010 14:36

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