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Laser induced molecular beam epitaxy of GaN

Hüttner, B. und Gross, M. und Müller, Th. und Schröder, H. (1998) Laser induced molecular beam epitaxy of GaN. In: European Conference on Laser Treatment of Materials, Seiten 469-474. Werkstoff-Informationsgesellschaft. European Conference on Laser Treatment of Materials, Hanover, 1998. ISBN 3-88355-263-1.

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Kurzfassung

GaN films were grown with reactive laser induced molecular beam epitaxy on sapphire and SiC substrates. The radiation source was a picosecond Nd:YAG laser (1064 nm) with a repetition rate between 2 and 4kHz. As target material fluid gallium in N2-atmosphere (5.E-02 mbar) was used. The GaN films are epitaxially with (0001) orientation. By PL measurements near-band-edge emission was demonstrated.

Dokumentart:Konferenzbeitrag (Paper)
Zusätzliche Informationen: LIDO-Berichtsjahr=1999,
Titel:Laser induced molecular beam epitaxy of GaN
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Hüttner, B.NICHT SPEZIFIZIERT
Gross, M.NICHT SPEZIFIZIERT
Müller, Th.NICHT SPEZIFIZIERT
Schröder, H.NICHT SPEZIFIZIERT
Datum:1998
Erschienen in:European Conference on Laser Treatment of Materials
Seitenbereich:Seiten 469-474
Herausgeber:
HerausgeberInstitution und/oder E-Mail-Adresse der Herausgeber
Mordike, B.L.NICHT SPEZIFIZIERT
Verlag:Werkstoff-Informationsgesellschaft
ISBN:3-88355-263-1
Status:veröffentlicht
Stichwörter:Gallium nitride, laser induced molecular beam epitaxy.
Veranstaltungstitel:European Conference on Laser Treatment of Materials, Hanover, 1998
HGF - Forschungsbereich:Energie
HGF - Programm:Luftfahrt
HGF - Programmthema:keine Zuordnung
DLR - Schwerpunkt:Energie
DLR - Forschungsgebiet:L - keine Zuordnung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):L - Laserforschung und -technologie
Standort: Stuttgart
Institute & Einrichtungen:Institut für Technische Physik
Hinterlegt von: elib DLR-Beauftragter
Hinterlegt am:16 Sep 2005
Letzte Änderung:06 Jan 2010 14:35

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