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Properties of GaN thin films prepared by laser induced molecular beam epitaxy

Gross, M. und Henn, G. und Schröder, H. (1997) Properties of GaN thin films prepared by laser induced molecular beam epitaxy. In: III-V Nitride Materials and Processes, 97-34, Seiten 236-243. Second Symposium on III-V Nitride materials and Processes, Paris 1997. ISBN 1-56677-187-0.

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Kurzfassung

We achieve high quality epitaxial GaN film growth on sapphire (0001) and 6H-SiC (0001) substrates by laser induced molecular beam epitaxy (LIMBE). Pure metal targets were ablated with a picosecond Nd:YAG laser in a nitrogen atmospere of 5E-02mbar. The films were grown at substrate temperatures between 700 and 800°C. Composition, structure and optical properties of the nitride films were chara<cterized with EDX, TEM, XRD, x-ray rocking curve measurements, AFM, SEM and PL spectroscopy. The films are smooth, stoichiometric, (0001) oriented and consist purely of the wurtzite phase. They show a x-ray rocking curve FWHM of 9 arcmin and a strong excitonic emission with a FWHM of 6.4meV in the PL spectrum at 4.3 K. Recent results of DLTS investigations on our GaN films revealed a residual carrier concentration of <1.E+17cm^-3.

Dokumentart:Konferenzbeitrag (Paper)
Zusätzliche Informationen: LIDO-Berichtsjahr=1999,
Titel:Properties of GaN thin films prepared by laser induced molecular beam epitaxy
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Gross, M.NICHT SPEZIFIZIERT
Henn, G.NICHT SPEZIFIZIERT
Schröder, H.NICHT SPEZIFIZIERT
Datum:1997
Erschienen in:III-V Nitride Materials and Processes
Band:97-34
Seitenbereich:Seiten 236-243
Herausgeber:
HerausgeberInstitution und/oder E-Mail-Adresse der Herausgeber
The Electrochemical Society, Inc.NICHT SPEZIFIZIERT
ISBN:1-56677-187-0
Status:veröffentlicht
Stichwörter:Gallium nitride, laser induced molecular beam epitaxy
Veranstaltungstitel:Second Symposium on III-V Nitride materials and Processes, Paris 1997
Veranstalter :The Electrochemical Society
HGF - Forschungsbereich:Energie
HGF - Programm:Luftfahrt
HGF - Programmthema:keine Zuordnung
DLR - Schwerpunkt:Energie
DLR - Forschungsgebiet:L - keine Zuordnung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):L - Laserforschung und -technologie
Standort: Stuttgart
Institute & Einrichtungen:Institut für Technische Physik
Hinterlegt von: elib DLR-Beauftragter
Hinterlegt am:16 Sep 2005
Letzte Änderung:06 Jan 2010 14:35

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