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Growth of GaN and AlN thin films by laser induced molecular beam epitaxy

Gross, M. und Henn, G. und Schröder, H. (1997) Growth of GaN and AlN thin films by laser induced molecular beam epitaxy. Materials Science & Engineering, 50, Seiten 16-19.

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Kurzfassung

Hexagonal GaN and AIN thin films were grown by laser induced molecular beam epitaxy using Al or Ga metal as target material and N2 as nitrogen source. The films were deposited on sapphire (0001) and SiC (0001) substrates. Epitaxial growth of GaN has been achieved at 730°C and 1.E-03 mbar N2 pressure. The AlN films were polycrystalline with predominant (0001) orientation.

Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Zusätzliche Informationen: LIDO-Berichtsjahr=1999,
Titel:Growth of GaN and AlN thin films by laser induced molecular beam epitaxy
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Gross, M.NICHT SPEZIFIZIERT
Henn, G.NICHT SPEZIFIZIERT
Schröder, H.NICHT SPEZIFIZIERT
Datum:1997
Erschienen in:Materials Science & Engineering
Referierte Publikation:Ja
In ISI Web of Science:Ja
Band:50
Seitenbereich:Seiten 16-19
Status:veröffentlicht
Stichwörter:AlN, GaN, laser induced molecular beam epitaxy
HGF - Forschungsbereich:Energie
HGF - Programm:Luftfahrt
HGF - Programmthema:keine Zuordnung
DLR - Schwerpunkt:Energie
DLR - Forschungsgebiet:L - keine Zuordnung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):L - Laserforschung und -technologie
Standort: Stuttgart
Institute & Einrichtungen:Institut für Technische Physik
Hinterlegt von: elib DLR-Beauftragter
Hinterlegt am:16 Sep 2005
Letzte Änderung:06 Jan 2010 14:35

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