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Characteristics of undoped and magnesium doped GaN films grown by laser induced MBE

Gross, M. und Henn, G. und Ziegler, J. und Allenspacher, P. und Cychy, C. und Schröder, H. (1999) Characteristics of undoped and magnesium doped GaN films grown by laser induced MBE. Materials Science & Engineering B, B59, Seiten 94-97.

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Kurzfassung

Epitaxial GaN films were grown on sapphire (0001) and 6H-SiC (0001) by reactive laser ablation of a metallic Ga target under continuous nitrogen flow. As radiation source a Nd:YAG laser with 30 ps pulses and a pulse rate of 1-3 kHz was used. The undoped films revealed a Hall background carrier concentration of 6xE^-17cm^-3 and an excitonic near band edge emission of 3.47 eV at 4.3 K. Mg incorporation into the Ga films was achieved by modulation of the evaporation from two targets (Ga and Mg) by laser beam scanning. CL, SIMS and AES measurements confirmed the Mg-doping of the films.

Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Zusätzliche Informationen: LIDO-Berichtsjahr=1999,
Titel:Characteristics of undoped and magnesium doped GaN films grown by laser induced MBE
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Gross, M.NICHT SPEZIFIZIERT
Henn, G.NICHT SPEZIFIZIERT
Ziegler, J.NICHT SPEZIFIZIERT
Allenspacher, P.NICHT SPEZIFIZIERT
Cychy, C.NICHT SPEZIFIZIERT
Schröder, H.NICHT SPEZIFIZIERT
Datum:1999
Erschienen in:Materials Science & Engineering B
Referierte Publikation:Ja
In ISI Web of Science:Ja
Band:B59
Seitenbereich:Seiten 94-97
Status:veröffentlicht
Stichwörter:Laser induced molecular beam epitaxy, GaN, Mg doping.
HGF - Forschungsbereich:Energie
HGF - Programm:Luftfahrt
HGF - Programmthema:keine Zuordnung
DLR - Schwerpunkt:Energie
DLR - Forschungsgebiet:L - keine Zuordnung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):L - Laserforschung und -technologie
Standort: Stuttgart
Institute & Einrichtungen:Institut für Technische Physik
Hinterlegt von: elib DLR-Beauftragter
Hinterlegt am:16 Sep 2005
Letzte Änderung:06 Jan 2010 14:35

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