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Influence of group II and III shallow acceptors on the gain of p-Ge lasers

Auen, K. und Hübers, H.-W. und Muravjov, A. und Orlova, E. und Pavlov, S. und Shastin, V. und Zhukavin, R. (2001) Influence of group II and III shallow acceptors on the gain of p-Ge lasers. Physica B, 302-303, Seiten 334-341.

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Dokumentart:Zeitschriftenbeitrag
Zusätzliche Informationen: LIDO-Berichtsjahr=2001,
Titel:Influence of group II and III shallow acceptors on the gain of p-Ge lasers
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Auen, K.NICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, H.-W.NICHT SPEZIFIZIERT
Muravjov, A.Inst. for Physics, Russian Academy of Sciences, Nizhni Nowgorod
Orlova, E.Inst. for Physics, Russian Academy of Sciences, Nizhni Nowgorod
Pavlov, S.NICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V.Inst. for Physics, Russian Academy of Sciences, Nizhni Novgorod
Zhukavin, R.Inst. for Physics, Russian Academy of Sciences, Nizhni Novgorod
Datum:2001
Erschienen in:Physica B
Referierte Publikation:Ja
In ISI Web of Science:Ja
Band:302-303
Seitenbereich:Seiten 334-341
Status:veröffentlicht
Stichwörter:Germanium, Ferninfrarot, Terahertz, Laser, Halbleiter, SOFIA
HGF - Forschungsbereich:Verkehr und Weltraum (alt)
HGF - Programm:Weltraum (alt)
HGF - Programmthema:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Schwerpunkt:Weltraum
DLR - Forschungsgebiet:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):NICHT SPEZIFIZIERT
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Weltraumsensorik und Planetenerkundung
Hinterlegt von: elib DLR-Beauftragter
Hinterlegt am:16 Sep 2005
Letzte Änderung:14 Jan 2010 18:53

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