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Investigation of Phosphorus Doped Silicon as a Possible Far-Infrared Laser Material

Hübers, H.-W. und Auen, K. und Pavlov, S.G. (1999) Investigation of Phosphorus Doped Silicon as a Possible Far-Infrared Laser Material. In: Part of the EUROPTO Conf. on Terahertz Spectroscopy and Applications II, 3828, . SPIE. EUROPTO Conf. on Terahertz Spectroscopy and Applications II, München, Juni 1999. ISBN 0-8194-3314-4.

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Dokumentart:Konferenzbeitrag (Paper)
Zusätzliche Informationen: LIDO-Berichtsjahr=1999,
Titel:Investigation of Phosphorus Doped Silicon as a Possible Far-Infrared Laser Material
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Hübers, H.-W.NICHT SPEZIFIZIERT
Auen, K.NICHT SPEZIFIZIERT
Pavlov, S.G.Academy of Sciences, Inst.for Physics, Nishni Novgorod, Russia
Datum:1999
Erschienen in:Part of the EUROPTO Conf. on Terahertz Spectroscopy and Applications II
Band:3828
Seitenbereich:
Herausgeber:
HerausgeberInstitution und/oder E-Mail-Adresse der Herausgeber
SPIE, NICHT SPEZIFIZIERT
Verlag:SPIE
Name der Reihe:1
ISBN:0-8194-3314-4
Status:veröffentlicht
Stichwörter:far-infrared, laser, semiconductor, silicon terahertz, impurity
Veranstaltungstitel:EUROPTO Conf. on Terahertz Spectroscopy and Applications II, München, Juni 1999
Veranstalter :SPIE
HGF - Forschungsbereich:Verkehr und Weltraum (alt)
HGF - Programm:Weltraum (alt)
HGF - Programmthema:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Schwerpunkt:Weltraum
DLR - Forschungsgebiet:W EW - Erforschung des Weltraums
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):NICHT SPEZIFIZIERT
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Weltraumsensorik und Planetenerkundung
Hinterlegt von: elib DLR-Beauftragter
Hinterlegt am:16 Sep 2005
Letzte Änderung:14 Jan 2010 18:26

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