Temperature Dependence of the Barrier Height of Pt/n-GaAs Schottky Diodes

Hübers, H.-W. und Röser, H.P. (1998) Temperature Dependence of the Barrier Height of Pt/n-GaAs Schottky Diodes. J. Appl. Phys., 84, Seiten 5326-5330.

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Dokumentart:

Zeitschriftenbeitrag

Zusätzliche Informationen:

LIDO-Berichtsjahr=1999,

Titel:

Temperature Dependence of the Barrier Height of Pt/n-GaAs Schottky Diodes

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Hübers, H.-W.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Röser, H.P.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

1998

Erschienen in:

J. Appl. Phys.

Referierte Publikation:

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Band:

Seitenbereich:

Seiten 5326-5330

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

Temperature Dependence, Schottky diode, GaAs

HGF - Forschungsbereich:

Verkehr und Weltraum (alt)

HGF - Programm:

Weltraum (alt)

HGF - Programmthema:

W EO - Erdbeobachtung

DLR - Schwerpunkt:

Weltraum

DLR - Forschungsgebiet:

W EO - Erdbeobachtung

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

NICHT SPEZIFIZIERT

Standort:

Berlin-Adlershof

Institute & Einrichtungen:

Institut für Weltraumsensorik und Planetenerkundung

Hinterlegt von:

DLR-Beauftragter, elib

Hinterlegt am:

16 Sep 2005

Letzte Änderung:

14 Jan 2010 18:22

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