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Microstructural Properties of THz Schottky Mixer Diodes

Hübers, H.-W. und Röser, H.P. (1998) Microstructural Properties of THz Schottky Mixer Diodes. In: Proc. of the 23rd Intern. Conf. on Infrared and Millimeter Waves, Colchester, Sept. 1998, Seiten 92-93. 23rd Intern. Conf. on Infrared and Millimeter Waves. ISBN 0953383903.

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Dokumentart:Konferenzbeitrag (Paper)
Zusätzliche Informationen: LIDO-Berichtsjahr=1999,
Titel:Microstructural Properties of THz Schottky Mixer Diodes
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Hübers, H.-W.NICHT SPEZIFIZIERT
Röser, H.P.NICHT SPEZIFIZIERT
Datum:1998
Erschienen in:Proc. of the 23rd Intern. Conf. on Infrared and Millimeter Waves, Colchester, Sept. 1998
Seitenbereich:Seiten 92-93
ISBN:0953383903
Status:veröffentlicht
Stichwörter:Schottky diode, potential barrier, fermi level, pinning, terahertz, mixeer, metal-semiconductor contact, barrier inhomogeneities
Veranstaltungstitel:23rd Intern. Conf. on Infrared and Millimeter Waves
HGF - Forschungsbereich:Verkehr und Weltraum (alt)
HGF - Programm:Weltraum (alt)
HGF - Programmthema:W EO - Erdbeobachtung
DLR - Schwerpunkt:Weltraum
DLR - Forschungsgebiet:W EO - Erdbeobachtung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):NICHT SPEZIFIZIERT
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Weltraumsensorik und Planetenerkundung
Hinterlegt von: elib DLR-Beauftragter
Hinterlegt am:16 Sep 2005
Letzte Änderung:14 Jan 2010 18:18

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