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Physical Properties of the Potential Barrier in Pt/n-GaAs Schottky Mixers

Hübers, H.-W. und Röser, H.P. (1998) Physical Properties of the Potential Barrier in Pt/n-GaAs Schottky Mixers. In: Proc. of the 9th Symp. on Space THz Technology, Seiten 521-527. 9th Symp. on Space THz Technology, Pasadena, März 1998.

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Dokumentart:Konferenzbeitrag (Paper)
Zusätzliche Informationen: LIDO-Berichtsjahr=1999,
Titel:Physical Properties of the Potential Barrier in Pt/n-GaAs Schottky Mixers
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-Adresse der Autoren
Hübers, H.-W.NICHT SPEZIFIZIERT
Röser, H.P.NICHT SPEZIFIZIERT
Datum:1998
Erschienen in:Proc. of the 9th Symp. on Space THz Technology
Seitenbereich:Seiten 521-527
Status:veröffentlicht
Stichwörter:Schottky diode, potential barrier, fermi level, pinning, terahertz, mixer, metal-semiconductor contact, noise temperature, barrier inhomogeneities
Veranstaltungstitel:9th Symp. on Space THz Technology, Pasadena, März 1998
HGF - Forschungsbereich:Verkehr und Weltraum (alt)
HGF - Programm:Weltraum (alt)
HGF - Programmthema:W EO - Erdbeobachtung
DLR - Schwerpunkt:Weltraum
DLR - Forschungsgebiet:W EO - Erdbeobachtung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):NICHT SPEZIFIZIERT
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Weltraumsensorik und Planetenerkundung
Hinterlegt von: elib DLR-Beauftragter
Hinterlegt am:16 Sep 2005
Letzte Änderung:14 Jan 2010 18:18

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