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Carrier recombination in doped Silicon and germanium

Hübers, Heinz-Wilhelm (2017) Carrier recombination in doped Silicon and germanium. 2017 FELBE User Workshop, 2017-04-24 - 2017-04-25, Rossendorf.

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elib-URL des Eintrags:https://elib.dlr.de/112118/
Dokumentart:Konferenzbeitrag (Vortrag)
Titel:Carrier recombination in doped Silicon and germanium
Autoren:
AutorenInstitution oder E-Mail-AdresseAutoren-ORCID-iDORCID Put Code
Hübers, Heinz-Wilhelmdlr, institut für optische sensorsystemeNICHT SPEZIFIZIERTNICHT SPEZIFIZIERT
Datum:2017
Referierte Publikation:Nein
Open Access:Nein
Gold Open Access:Nein
In SCOPUS:Nein
In ISI Web of Science:Nein
Status:veröffentlicht
Stichwörter:terahertz, Spektroskopie, Halbleiter, Germanium, Silizium
Veranstaltungstitel:2017 FELBE User Workshop
Veranstaltungsort:Rossendorf
Veranstaltungsart:Workshop
Veranstaltungsbeginn:24 April 2017
Veranstaltungsende:25 April 2017
Veranstalter :HZDR
HGF - Forschungsbereich:Luftfahrt, Raumfahrt und Verkehr
HGF - Programm:Raumfahrt
HGF - Programmthema:Erdbeobachtung
DLR - Schwerpunkt:Raumfahrt
DLR - Forschungsgebiet:R EO - Erdbeobachtung
DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):R - Optische Technologien und Anwendungen
Standort: Berlin-Adlershof
Institute & Einrichtungen:Institut für Optische Sensorsysteme
Hinterlegt von: Dombrowski, Ute
Hinterlegt am:05 Mai 2017 14:47
Letzte Änderung:24 Apr 2024 20:16

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