Generation of THz emission from donor centers in silicon under intracenter optical pumping

Pavlov, S.G. und Hovenier, J.N. und Klaassen, T.O. und Carder, D. und Hübers, H.-W. und Zhukavin, R.Kh. und Riemann, H. und Redlich, B. und Shastin, V.N. (2004) Generation of THz emission from donor centers in silicon under intracenter optical pumping. In: 2004 Joint 29th International Conference on Infrared and Millimeter Waves and 12th International Conference on Terahertz Electronics, Seiten 301-302. IEEE Press. Int. Conference on Infrared and Millimeter Waves and Terahertz Electronics 2004, Karlsruhe, 28.9. - 1.10.2004. ISBN 0-7803-8490-3.

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Kurzfassung

Optical pumping of excited donor states in silicon crystals doped by antimony, phosphor, arsenic and bismuth impurity center by emission from a free electron laser yields stimulated terahertz emission (4-7 THz). The detailed study of silicon emission spectra provides information on intracenter phonon-assisted relaxation mechanisms in silicon at low lattice temperatures as well as on binding energies of excited states of donor centers.

elib-URL des Eintrags:

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Dokumentart:

Konferenzbeitrag (Paper)

Zusätzliche Informationen:

LIDO-Berichtsjahr=2005,

Titel:

Generation of THz emission from donor centers in silicon under intracenter optical pumping

Autoren:

Autoren	Institution oder E-Mail-Adresse	Autoren-ORCID-iD	ORCID Put Code
Pavlov, S.G.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hovenier, J.N.	Kavli Institute of Nanoscience, Delft University of Technology, Delft/The Netherlands	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Klaassen, T.O.	Kavli Institute of Nanoscience, Delft University of Technology Delft/The Netherlands	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Carder, D.	FOM-Institute for Plasma Physics Rijnhuizen/The Netherlands	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Hübers, H.-W.	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Zhukavin, R.Kh.	Institute for Physics of Microstructures, Nizhni Novgorod/Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Riemann, H.	Institute for Crystal Growth, Berlin/Germany	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Redlich, B.	FOM-Institute for Plasma Physics Rijnhuizen/The Netherlands	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT
Shastin, V.N.	Institute for Physics of Microstructures, Nizhni Novgorod/Russia	NICHT SPEZIFIZIERT	NICHT SPEZIFIZIERT

Datum:

2004

Erschienen in:

2004 Joint 29th International Conference on Infrared and Millimeter Waves and 12th International Conference on Terahertz Electronics

Open Access:

Nein

Gold Open Access:

Nein

In SCOPUS:

Nein

In ISI Web of Science:

Nein

Seitenbereich:

Seiten 301-302

Verlag:

IEEE Press

ISBN:

0-7803-8490-3

Status:

veröffentlicht

Stichwörter:

Terahertz, Ferninfrarot, Silizium, Laser, Intrazenter Übergang

Veranstaltungstitel:

Int. Conference on Infrared and Millimeter Waves and Terahertz Electronics 2004, Karlsruhe, 28.9. - 1.10.2004

Veranstalter :

IEEE

HGF - Forschungsbereich:

Verkehr und Weltraum (alt)

HGF - Programm:

Weltraum (alt)

HGF - Programmthema:

W EW - Erforschung des Weltraums

DLR - Schwerpunkt:

Weltraum

DLR - Forschungsgebiet:

W EW - Erforschung des Weltraums

DLR - Teilgebiet (Projekt, Vorhaben):

NICHT SPEZIFIZIERT

Standort:

Berlin-Adlershof

Institute & Einrichtungen:

Institut für Planetenforschung

Hinterlegt von:

Pieth, Susanne

Hinterlegt am:

16 Sep 2005

Letzte Änderung:

14 Jan 2010 16:49

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